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《多晶X射線衍射技術與應用》-30(第8章 X射線衍射物相定量分析)

發(fā)布時間:2023-01-06   來源:北達燕園微構分析測試中心

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上一篇文章回顧:《多晶X射線衍射技術與應用》-29(第7章 X射線衍射物相定性分析)

8.1

衍射強度與物相組成的關系

一種晶體某衍射線的強度是指相應晶面給出的衍射波的功率,是一個能量的概念(2.2.2節(jié)附錄4-見文章末尾)。其既取決于該晶體的組成與結構,也決定于該晶體參與衍射的數(shù)量;能夠在理論上進行計算,在實驗上也能進行測量。用多晶衍射儀獲得的多晶衍射圖實際上是樣品衍射波空間強度分布在掃描圓上的剖面展開圖。假定粉末樣品是理想的晶體粉末(每個微小的晶粒是理想的完善晶體,但晶粒的粒度足夠細小,晶粒的取向完全隨機),受照體積足夠大(樣品足夠厚),得以保證在受照射的晶粒的數(shù)目非常大;在受照體積中將有各種可能取向的晶粒;那么,多晶衍射圖上每個衍射峰的面積應該正比于其相應晶面組給出的衍射錐的功率。因此,可以用衍射圖上每個衍射峰的面積來表征晶體衍射的強度,稱為“積分強度”。此外如果樣品對X射線是完全透明的(消光效應,吸收等均可忽略),在這些條件下,一種晶體的任一衍射線的強度與實際參加衍射的晶粒總體積V成正比。2.2.2節(jié)給出了純物質的衍射強度表達式(2.8),為了便于考察衍射強度與參加衍射的晶態(tài)物質的“量”的關系,將該式簡化寫成:

  (8.1)

此處常數(shù)因子C包含原式中的基本物理常數(shù)和各與實驗條件有關的參數(shù)如實驗用波長、入射X射線的強度、測量點到樣品的距離等;因子K含其余與樣品晶體結構有關的各因子*,取決于物相i的晶體結構和該衍射峰的指標(hkl),亦為一確定值,即:

  (8.1a)

   (8.1b)

式(8.1)未考慮吸收對衍射強度的影響。實際上物質對X射線總是有吸收的。因吸收強度將衰減,樣品內部受照的X射線強度以及樣品內部的晶體對衍射總強度的貢獻都將隨深度的增加趨于零。在衍射儀的樣品幾何條件下(試樣是平板形的、入射及反射線和試樣表平面的夾角始終保持相等、樣品厚度對實驗波長可視為“無限厚”),設入射平行X射線束的橫截面積為A,則在樣品內層深度為x處的厚dx的一個衍射元體積為(圖8.1):

dV = Adx / sinθ

若不考慮消光效應的影響,該體積元受到的入射線強度為I0 exp(-μx / sinθ),μ為樣品的線吸收系數(shù),其出射的衍射線的強度為:

(8.2a)

(8.2b)

對比式(8.1),可見考慮吸收后,在衍射儀條件下(入射線、衍射線兩者與樣品平面的夾角相等),無限厚樣品的等效衍射體積V只和樣品的吸收性質有關,而與衍射角無關,V = A/(2μ) 。

對于多相樣品,樣品中任一物相的晶粒其晶體結構不會因為相鄰共存有其他物相的晶粒而有變化,多晶樣品的衍射圖僅是其構成的各物相晶體的衍射圖的線性疊加。所以,對于一個含有n種物相的樣品,若它的某一組成物相i的體積分數(shù)為fi ,則i相的某一衍射線的衍射強度Ii 按(8.1)式可寫為:

  (8.3)

在衍射儀條件下,考慮吸收,按式(8.2b)得:

 (8.4)

式中A 為入射X射線束的垂直截面積,在固定的實驗條件下是一個固定值;μ 為試樣的線吸收系數(shù)。

為樣品的平均質量吸收系數(shù),按質量吸收系數(shù)的加和性質,由下式計算:

(8.5)

令ρ為樣品的平均密度,若不考慮樣品表觀密度與真實密度的差異,應有:

把μ和fi的表達式代入式(8.4)得:

將實驗條件參數(shù)(A / 2)并入式中的常數(shù)項C (令C = C ? A / 2 ),把1 / ρi 并入式中的參數(shù)項Ki (Ki = Ki / ρi ),即得Ii簡潔的表達式:

  (8.6)

在此

    (8.6a)

   (8.6b)

按式(8.6)若純晶態(tài)物相i的線吸收系數(shù)為μi,在衍射儀條件下其某一衍射線的衍射強度Ii,純 應為(因xi =1):

    (8.7)

于是式(8.6)又可以寫成:

   (8.8)

衍射強度式(8.6)或(8.8)是在衍射儀條件下進行物相定量分析的基礎公式(Alexander和Klug,1948 )。前已指出公式導出的前提是:樣品可以視為理想晶體粉末,因而可以忽略消光及微吸收效應,樣品均勻、無取向(無織構);樣品無限厚、各組成物相的晶粒足夠小,可以忽略樣品表觀密度與真實密度的差異。然而實際的粉末樣品常常不可能符合這些前提,至少,制作衍射儀上機用的樣品片就很難是完全無取向的。如果需要對取向進行修正,式(8.8)還應該增加一個取向因子p:

 (8.8a)

取向因子近似等于晶面((hkl)在試樣法向的取向分布密度與無規(guī)取向分布密度1/4π之比。這就是通常的取向分布函數(shù)所定義的取向因子。在以下衍射定量方法的原理討論中,為簡明起見,公式中都忽略了取向因子。

從式(8.6)或(8.8)可見,I i不是x i 的線性函數(shù)。這兩個式子中所含的變量 也是樣品組成的函數(shù)(式8.5),故基體中其它組分含量的變化,即使xi 保持不變,Ii 也會變化?;w中其它組分含量的變化對I i的影響在衍射定量分析工作中稱為“基體效應”,其根源在于樣品的吸收性質( )是樣品組成的函數(shù)。

依據實驗測定的衍射強度數(shù)據Ii按衍射強度式(8.6)計算xi涉及三個因子:C、Ki和 ,如何處理這三個因子,是建立一種可操作的X射線衍射物相定量分析方法的關鍵。

未完待續(xù)......

下一篇:8.2 比強度法

END


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【附錄四】

關于多晶X射線衍射強度的理論分析在很多專著中都有論述,如:

《X射線晶體學》,A,紀尼葉著,施士元譯,科學出版社(1959),附錄I

《金屬X射線學》,許順生著,上??萍汲霭嫔纾?962),第5章

《X射線衍射技術(多晶體和非晶質材料)》(第二版),H.P.克魯格、L.E.亞歷山大著,盛世雄等譯,冶金工業(yè)出版社(1986),第3章

多晶衍射儀的衍射強度公式
假定樣品是單相的(僅由一種晶體組成),樣品中晶粒的粒度足夠細小,得以保證在受照體積中晶粒的數(shù)目非常大;又如果樣品中晶粒的取向是完全隨機的,在受照體積中將有各種可能取向的晶粒;此外對于細小的粉末試樣,晶體的初級消光和次級消光效應可以不考慮,通過深入的理論分析,一種晶體粉末(多晶)的衍射線hkl的強度可用下式表達:
I(hkl)= I0·K''·K''''·P·L·2·| F(hkl)|2·D·M·V

式中,K'' = e/(8π m2 c4),含4個基本物理常數(shù):π 以及— 電子電荷、— 電子質量、— 光速;其余各因子的值決定于實驗條件和晶體的結構:

I0 — 入射X射線的強度;

K — 實驗條件參數(shù)

對于多晶衍射儀K = λ3 / R ,λ為實驗用波長,R為掃描園半徑;

P — 偏振因子

入射光束為非偏振化的X射線束、未使用晶體單色器時,P =(1 + cos2 2q / 2;

L — Lorenze因子。

L = 1 /(2 sin2 θ cos θ ),與因子P合稱角度因子,決定于衍射hkl的衍射角;

N — 單位體積內的晶胞數(shù),N = 1 / v ,v — 晶胞體積;

F(hkl) | — 衍射面hkl的結構因子的模量,稱為結構振幅;

D — 溫度因子(Debye因子),決定于晶體的結構和測定時樣品的溫度;

M — 多重性因子(或稱重復性因子或倍數(shù)因子),決定于晶體的對稱性;

V  參加衍射的樣品的有效體積,與樣品的吸收系數(shù)和樣品的形狀有關。

綜上所列,一種多晶體的某衍射hkl的強度表達式為:

A3.1)

對于一種晶體的某一衍射線,在確定的實驗條件下,上面列出的因子有多個是常數(shù),如果把與晶體結構無關的常數(shù)因子合并為

C = I0·K''·K''''

把與樣品有關的常數(shù)因子合并為

P·L·2·| F(hkl)|2·D·M

則 I (hkl)= C·K·V

這就是式8.1 。

對于多晶衍射儀的幾何條件(足夠厚的平板狀樣品、入射線和衍射線對樣品平面的夾角相等)下,有效體積V = A /(m)。A為入射X光束的垂直截面積;m 為樣品的線性吸收系數(shù),m m* ? ρ’m*為該晶體的質量吸收系數(shù),ρ’ 為該晶體粉末的表觀密度,其“真密度”(粉末顆粒間無堆積間隙時的密度)為ρ 。

故若令:P ? L ? 2 ? F (hkl )|2 ? D ? M ? / m* ? ρ),并令:C = K'' ? K'''' ? I0 ? A,則在多晶衍射儀的條件下:

(A3.2)

如果可以忽略ρ’ / ρ ,即可以假定ρ’ / ρ = 1,就得到式(8.6)。


影響衍射強度的諸因子的來源及其在強度計算中的作用簡介如下:

 1.偏振因子P和Lorentz因子L

偏振因子P = (1+ cos22q / 2是由于未偏振化的X射線束照射到電子上,其散射波的強度各個方向不等而引入的校正項。L = 1 / ( 2sin2q cosq ),這是考慮實際情況下樣品結晶不夠完善,實驗條件不夠理想所引起的衍射方向偏離和衍射線束彌散對強度的影響。上述兩種效應都與衍射角q 有關,一般統(tǒng)稱PL為角因子。

PL = (1+ cos22q )/(4 sin2q cosq )

經單色器單色化的X射線已部分偏振化了,上述關系不再適用。當應用石墨單色器,此附件置于衍射線束一側時,

PL = (1 + 0.894cos22q ) / [(1 + cos22q )sin2q cosq ]


2.溫度因子D

晶體中的原子總是處在熱運動中,這種運動在絕對零度時也未必停止。通常所謂的原子坐標是指它們在不斷振動中的平衡位置。隨著溫度的升高,其振動的振幅增大。這種振動的存在增大了原子散射波的位相差,影響了原子的散射能力,因此,需要引入一個校正項D,D = e-2M。此外,熱運動產生熱漫散射會使背景加強。雖然熱漫散射并不妨礙衍射強度的計算,但影響衍射圖的清晰度,熱漫散射隨sinq /l的增加而增大。

溫度因子的計算比較復雜。在晶體中,特別是對稱性低的晶體,原子各個方向的環(huán)境并不相同,因此嚴格的說不同方向的振幅是不等的。如果忽略振動的這種各向異性,則

D = e-2M  ,= exp(- Bsin2q /l2 ) (A3.3)


式中ma是原子的質量;h是普朗克常數(shù);k是Boltzmann常數(shù);Θ是晶體的特征溫度(用絕對溫度K表示),Θ = m / k ,νm是固體彈性振動的最大頻率;x = Θ / T,為絕對度。故B又可寫成:


上述關系是P. Debye和I. Waller建立的,故溫度因子也稱Waller-Debye因子。實際計算時,先由國際表《International Tables for Crystallograph》查出物質的特征溫度,計算出x值;由x值查得[f (x) / x + 1 / 4]的值;然后按式(A3.4)計算B的值;再從國際表查得e-M的值;最后計算出e-2M值。在晶體里,結構狀態(tài)相同的原子,如處在同一套等效點系的原子,可以取相同的B值。

上述的計算所依據的模型僅適用于只含一種因子的簡單立方晶體,但是在初步計算中,晶體中的不同種原子也可以先取同一個B為初值,然后再進行修正。

3. 多重性因子M

多晶X射線衍射服從Bragg方程2d sinq = nl。由于對稱性的作用,某一些衍射可能具有相同的d值。例如正交晶系,

hkl ) = [(h / a)2 +(b)2 +(c)2 ]1/2

可見下列8個衍射:具有相同d值,在多晶衍射譜上,它們將重疊在一起,稱為對稱性重疊。這8個衍射,不僅d值相同,其強度數(shù)值也嚴格相等;對于hk0衍射,hk0等4個衍射的d值和強度值也嚴格相等。對稱性重疊的重疊數(shù)稱為多重性因子(或稱重復性因子或倍數(shù)因子)。故從上例中可知:正交晶系的hkl衍射的多重性因子為8;其hk0衍射的多重性因子為4。屬于同一Laue點群的晶體,其多重性因子相同。

各種晶系不同衍射類型的多重性因子



4. 結構因子F
結構因子F(hkl)是一個晶胞對散射X射線振幅的貢獻。令ss0向量分別代表入射方向和衍射方向的單位向量。在a、bc所規(guī)定的晶胞中包含有N個原子,第j個原子在晶胞中的分數(shù)坐標為xj yj zj,原子散射因子為fj,從晶胞原點到第j個原子的向量rj = axj + byj + czj. 對于衍射hkl,通過原子j與晶胞原點散射波的程差和相差分別是

H為倒易格子向量,則結構因子F(hkl)


(A3.5)


結構因子F(hkl)的數(shù)值是由晶胞中原子的種類、數(shù)目和分數(shù)坐標決定的。
結構因子F(hkl)包含兩方面的數(shù)據:結構振幅 |F(hkl)| 和相角,其關系如下:


(A3.6)


式中ahkl為相角:

(A3.7)


結構因子的這一關系可在復數(shù)平面上表示(如圖)
求取F(hkl)的數(shù)值在許多情況下并非易事。依照衍射強度I(hkl)正比于 |F(hkl)|2的關系,從實驗所得的衍射強度數(shù)值中可求出結構因子的模 |F(hkl)|,只有再已知相角αhkl的條件下,才可求得結構因子F(hkl)。然而求得αhkl的數(shù)值必須有一定數(shù)量的可靠的結構信息,在結構分析之初未必具有這個條件,因此求取相角是運用F(hkl)進行結構分析工作的難點。
晶胞原點不同,相角的數(shù)值也不相同。
當晶體具有對稱中心,且晶胞原點位于對稱中心上時,其相角是一個簡單的數(shù)值。此時晶胞中的N個原子有N/2個處在xj yj zj,另有N/2個處在,依照式(A3.5)、(A3.6)和(A3.7),則


在這種情況下,可以比較容易地取得F(hkl)的數(shù)值。
一個晶面的衍射強度正比于結構因子的模即結構振幅,可見滿足Bragg方程,只是產生衍射的必要條件,是否出現(xiàn)可觀察的具有一定強度的衍射線,還取決于原子在晶胞內的分布。只有結構因子不為零值才可能出現(xiàn)衍射線。
晶體的某些對稱類型(如一些帶心的、有某些滑移面或螺旋軸的點陣類型)決定了它的某些衍射的結構因子F = 0,因此,在晶體的衍射圖中常有許多衍射點有規(guī)律地、系統(tǒng)地不出現(xiàn),這種現(xiàn)象稱為系統(tǒng)消光。通過對一種晶體的系統(tǒng)消光規(guī)律的分析可以了解其所屬的空間群。
用衍射法測定晶體結構的方法之一就是利用結構因子與原子位置的關系,用嘗試法比較衍射強度的計算值與實驗觀測強度來確定晶體的結構。

5. 原子散射因子 f 
在結構因子的表達式中,f為原子散射因子,它相關于一個原子散射波的振幅,其數(shù)值與衍射角有關,隨sinθ / λ 的增加而減小。

6. 原子占有率因子 n
當結構中某一位置上的平均原子數(shù)小于1時,這個結晶學位置上的原子對于X射線的散射能力將小于一個原子。處在這個位置上的原子j的原子散射因子應乘以一個小于1的倍數(shù)nj


nj稱為原子j的占有率。引入占有率n變量之后,結構因子的表達式應為


衍射方向和衍射強度的數(shù)值是可以通過實驗直接測量的。