北京大學(xué)作為首批國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)示范高校及高等學(xué)校專(zhuān)業(yè)化技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)建設(shè)試點(diǎn)單位，全面貫徹政策要求，積極推進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化運(yùn)用，扎實(shí)開(kāi)展專(zhuān)利開(kāi)放許可工作。自今年5月開(kāi)始，北京大學(xué)明確開(kāi)放許可合同內(nèi)容及簽訂流程，并通過(guò)專(zhuān)利分析統(tǒng)計(jì)主動(dòng)發(fā)現(xiàn)和發(fā)布通知集中征集二者結(jié)合的方式收集并整理了45項(xiàng)專(zhuān)利開(kāi)放許可項(xiàng)目，分別來(lái)自北京大學(xué)的15個(gè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，涉及集成電路、新材料、生物醫(yī)藥、人工智能等技術(shù)領(lǐng)域。本期聚焦“新一代信息技術(shù)”領(lǐng)域的9個(gè)專(zhuān)利項(xiàng)目，詳情如下：1阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件及制造方法
專(zhuān)利號(hào)：ZL201010207339.0專(zhuān)利摘要：本申請(qǐng)公開(kāi)了一種阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件及其制造方法，該阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件包括設(shè)置在位線(xiàn)和字線(xiàn)之間的存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括阻變?cè)?，以及肖特基二極管，所述肖特基二極管與所述阻變?cè)?lián)連接，其中，所述肖特基包括彼此接觸的金屬層和半導(dǎo)體層，并且金屬層與半導(dǎo)體層之間的界面呈非平面的形狀。該阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件可以減小在芯片上的占用面積并提供大的驅(qū)動(dòng)電流，從而提高了存儲(chǔ)密度。
2阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件及其制造和操作方法
專(zhuān)利號(hào)：ZL201010198033.3專(zhuān)利摘要：本申請(qǐng)公開(kāi)了一種阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件及其制造和操作方法，該阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件包括阻變存儲(chǔ)元件，所述阻變存儲(chǔ)元件包括兩個(gè)電極以及夾在兩個(gè)電極之間的阻變材料層，并且具有雙極阻變特性；以及肖特基二極管，所述肖特基二極管包括彼此接觸的金屬層和半導(dǎo)體層，其中，所述肖特基二極管的金屬層與所述阻變存儲(chǔ)元件的一個(gè)電極連接。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了按照雙極方式工作的1D-1R配置的阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件。
3具有交叉陣列結(jié)構(gòu)的自整流阻變存儲(chǔ)器及制備方法
專(zhuān)利號(hào)：ZL201110452945.3專(zhuān)利摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種具有交叉陣列結(jié)構(gòu)的自整流阻變存儲(chǔ)器及制備方法，涉及半導(dǎo)體集成電路及其制造技術(shù)領(lǐng)域，所述存儲(chǔ)器包括：硅襯底，在所述硅襯底上設(shè)有至少一個(gè)與其垂直的納米柱，繞所述納米柱的側(cè)壁一周設(shè)有阻變氧化層，繞所述阻變氧化層的外側(cè)壁一周設(shè)有從下至上間隔設(shè)置的隔離層和金屬層，所述納米柱的材料為重?fù)诫s硅。本發(fā)明通過(guò)按照一定的結(jié)構(gòu)設(shè)置，實(shí)現(xiàn)了在不增加工藝復(fù)雜度的情況下，提供了一種適合于三維集成，并具有自整流特性的存儲(chǔ)器。
4三維垂直阻變存儲(chǔ)器陣列及其操作方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)
專(zhuān)利號(hào)：ZL202010369772.8專(zhuān)利摘要：一種三維垂直阻變存儲(chǔ)器陣列及其操作方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。該操作方法包括：選中三維垂直阻變存儲(chǔ)器陣列中的特定阻變存儲(chǔ)器作為選中單元進(jìn)行編程操作。上述編程操作包括：在選中單元所在的字線(xiàn)、位線(xiàn)和選擇線(xiàn)分別對(duì)應(yīng)施加電壓Vdd、0和Von1；在與選中單元對(duì)應(yīng)不同選擇線(xiàn)的第一非選中單元所在的選擇線(xiàn)施加零電壓；以及在與選中單元對(duì)應(yīng)同一選擇線(xiàn)的第二非選中單元對(duì)應(yīng)的字線(xiàn)和位線(xiàn)中，除去選中單元所在字線(xiàn)和位線(xiàn)之外，其余字線(xiàn)施加電壓V1，其余位線(xiàn)施加電壓V2；其中，電壓V1、V2滿(mǎn)足：使得所有第二非選中單元的電壓降均小于Vdd/2。在編程操作時(shí)克服了由于阻變存儲(chǔ)器自身壓降及對(duì)應(yīng)的編程電壓的漲落而導(dǎo)致的誤編程操作。
5一種基于NOR FLASH陣列的卷積運(yùn)算方法
專(zhuān)利號(hào)：ZL201710063036.8專(zhuān)利摘要：本申請(qǐng)公開(kāi)了一種阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件及其制造和操作方法，該阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件包括阻變存儲(chǔ)元件，所述阻變存儲(chǔ)元件包括兩個(gè)電極以及夾在兩個(gè)電極之間的阻變材料層，并且具有雙極阻變特性；以及肖特基二極管，所述肖特基二極管包括彼此接觸的金屬層和半導(dǎo)體層，其中，所述肖特基二極管的金屬層與所述阻變存儲(chǔ)元件的一個(gè)電極連接。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了按照雙極方式工作的1D-1R配置的阻變隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器件。
6實(shí)現(xiàn)圖像卷積的編碼型閃存系統(tǒng)及工作方法
專(zhuān)利號(hào)：ZL201710024111.X專(zhuān)利摘要：本發(fā)明提供了一種實(shí)現(xiàn)圖像卷積的編碼型閃存系統(tǒng)，用于對(duì)輸入圖像進(jìn)行卷積處理，包括：輸入模塊、編碼型閃存陣列、控制器、字線(xiàn)控制單元、位線(xiàn)控制單元和輸出模塊。此外，本發(fā)明還提供了一種實(shí)現(xiàn)圖像卷積的編碼型閃存系統(tǒng)的工作方法，將輸入圖像矩陣的像素點(diǎn)轉(zhuǎn)化成編碼型閃存陣列的輸入電壓，與卷積核進(jìn)行卷積處理，整合各編碼型閃存輸出的電流值，得到卷積后的輸出圖像。本發(fā)明采用硬件結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了卷積的高效、并行計(jì)算，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)計(jì)算的一體化。
7一種實(shí)現(xiàn)圖像卷積的編碼型閃存系統(tǒng)和方法
專(zhuān)利號(hào)：ZL201710104061.6專(zhuān)利摘要：本發(fā)明實(shí)施例提供了一種實(shí)現(xiàn)圖像卷積的編碼型閃存系統(tǒng)，包括編碼型閃存陣列，所述編碼型閃存陣列包括：n2個(gè)第一編碼型閃存單元、n2個(gè)第二編碼型閃存單元、第一字線(xiàn)、第二字線(xiàn)、n2條位線(xiàn)、第一導(dǎo)線(xiàn)、第二導(dǎo)線(xiàn)以及運(yùn)算放大器。其中，每個(gè)所述編碼型閃存單元包括源端、柵端和漏端，用于存儲(chǔ)卷積核數(shù)據(jù)。字線(xiàn)與編碼型閃存單元的柵端相連，用于施加驅(qū)動(dòng)電壓。位線(xiàn)連接相應(yīng)的一對(duì)第一編碼型閃存單元和第二編碼型閃存單元的漏端，用于傳輸像素矩陣中的相應(yīng)一個(gè)元素。導(dǎo)線(xiàn)與編碼型閃存單元的源端相連。運(yùn)算放大器包括正輸入端、負(fù)輸入端和輸出端，所述正輸入端與所述第一導(dǎo)線(xiàn)相連，所述負(fù)輸入端與所述第二導(dǎo)線(xiàn)相連，所述輸出端用于輸出卷積處理結(jié)果。
8基于憶阻器和晶體管的存儲(chǔ)器及實(shí)現(xiàn)多阻態(tài)的方法
專(zhuān)利號(hào)：ZL201210195545.3專(zhuān)利摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種基于憶阻器和晶體管的存儲(chǔ)器，包括串聯(lián)的高遷移率晶體管和憶阻器，所述高遷移率晶體管是以鍺或者III-V族材料作為襯底和溝道材料的MOS晶體管。本發(fā)明還提供了一種利用該存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)多阻態(tài)的方法。本發(fā)明通過(guò)高遷移率MOS晶體管和憶阻器串聯(lián)方式，解決了常規(guī)MOS晶體管的驅(qū)動(dòng)電流與多阻態(tài)存儲(chǔ)器開(kāi)態(tài)電流不匹配的問(wèn)題，同時(shí)，利用高遷移率MOS晶體管的大驅(qū)動(dòng)電流能力優(yōu)勢(shì)可以獲得不同的器件阻態(tài)，從而增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度，獲得較快的存儲(chǔ)器件工作速度。
專(zhuān)利號(hào)：ZL201610648336.8專(zhuān)利摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器陣列的操作方法，包括邏輯子單元，所述邏輯子單元包括至少兩個(gè)輸入單元、一個(gè)輸出單元和至少一個(gè)基準(zhǔn)單元，所述輸入單元包括第一輸入阻變單元和第二輸入阻變單元，所述輸出單元包括第一輸出阻變單元，通過(guò)適當(dāng)?shù)貙⒏鲉卧c字線(xiàn)、位線(xiàn)連接，向輸入、輸出阻變單元和基準(zhǔn)單元施加特定的電壓脈沖，以簡(jiǎn)易的方式實(shí)現(xiàn)了邏輯運(yùn)算操作及其重構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)計(jì)算的一體化，不僅減少了所需憶阻器的數(shù)量，還提高了邏輯運(yùn)算的執(zhí)行效率。
2021年6月1日實(shí)施的新專(zhuān)利法新增專(zhuān)利開(kāi)放許可制度。專(zhuān)利權(quán)人自愿聲明并經(jīng)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，任何人依照聲明的價(jià)格和標(biāo)準(zhǔn)支付費(fèi)用即可便捷獲得專(zhuān)利實(shí)施許可。不同于傳統(tǒng)的“一對(duì)一”許可方式，開(kāi)放許可可以實(shí)現(xiàn)權(quán)利人一視同仁、簡(jiǎn)便快捷的“一對(duì)多”許可，有利于促進(jìn)供需對(duì)接、提升談判效率、降低制度性交易成本。上半年，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局印發(fā)《專(zhuān)利開(kāi)放許可試點(diǎn)工作方案》，總結(jié)地方先行先試經(jīng)驗(yàn)，加快該制度平穩(wěn)落地。
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