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同步輻射衍射數(shù)據(jù)精修

發(fā)布時(shí)間:2021-03-19   來源:北達(dá)燕園微構(gòu)分析測(cè)試中心

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同步輻射簡(jiǎn)介


當(dāng)高能電子在磁場(chǎng)中以接近光速運(yùn)動(dòng)時(shí),如運(yùn)動(dòng)方向與磁場(chǎng)垂直,電子將受到與其運(yùn)動(dòng)方向垂直的洛侖茲力的作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)。帶電粒子作加速運(yùn)動(dòng)時(shí)都會(huì)產(chǎn)生電磁輻射,因此這些高能電子會(huì)在其運(yùn)行軌道的切線方向產(chǎn)生電磁輻射。這種電磁輻射最早是在同步加速器上觀測(cè)到的,因此就稱作同步加速器輻射,簡(jiǎn)稱同步輻射光。據(jù)《宋會(huì)要》記載,早在公元1054年7月,我國(guó)古代天文學(xué)家就觀測(cè)到金牛座中天關(guān)客星附近出現(xiàn)異象:“晝見如太白,芒角四出,色赤白,凡見二十三日?!盵1] 這是人類歷史上第一次詳細(xì)記載超新星爆發(fā)。這顆超新星爆發(fā)后的遺跡形成今夜星空的蟹狀星云。現(xiàn)代天文學(xué)家確認(rèn)該星云的輻射,正是爆炸產(chǎn)生的高能電子在星云磁場(chǎng)作用下的電磁輻射,也即同步輻射。

(蟹狀星云(超新星SN 1054的殘?。?。圖片來自NASA/ESA)


同步輻射作為光源,其主要特點(diǎn)可歸結(jié)為:1)亮度高,譬如 X 光強(qiáng)度可以達(dá)實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)靶 X 光機(jī)的一萬倍甚至一百萬倍以上;2)光譜連續(xù)且范圍寬,可從遠(yuǎn)紅外到硬 X 射線;3)有時(shí)間結(jié)構(gòu),一般同步輻射光脈沖的脈寬為幾十皮秒量級(jí);4)高準(zhǔn)直性。

通俗來講,可以粗略將同步輻射粉末衍射數(shù)據(jù)看作是特定波長(zhǎng)的、能量極高的、分辨率極高的粉末衍射數(shù)據(jù)處理。






Jade中物相鑒定


2.1 導(dǎo)入數(shù)據(jù),直接拖入即可。

2.2 設(shè)置衍射波長(zhǎng),這里測(cè)試數(shù)據(jù)使用線站的波長(zhǎng)為0.6887 ?。

2.3 S/M

檢索結(jié)果為P-3空間群的BaAl2Si2O8。接著去ICSD或者Findit等結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫下載對(duì)應(yīng)的CIF文件,構(gòu)建初始模型。






初始模型(pcr)


在獲得對(duì)應(yīng)的初始CIF后,進(jìn)行初始結(jié)構(gòu)模型構(gòu)筑。

3.1 Edpcr → cif-pcr

進(jìn)入,默認(rèn)選項(xiàng)即可。

3.2 Patterns。設(shè)置數(shù)據(jù)類型和相應(yīng)的波長(zhǎng)條件。

對(duì)于同步輻射數(shù)據(jù),Lambda1 =Lambda2 。依據(jù)參考手冊(cè)Lambda字段。

其余參數(shù)按照前面推文所述設(shè)定,具體意義可查看手冊(cè)。保存即可得到初始的pcr文件。






圖形參數(shù)修正


一個(gè)X射線粉末衍射圖譜,主要由結(jié)構(gòu)參數(shù)和圖像參數(shù)兩種不同特性的參數(shù)貢獻(xiàn)。圖譜的峰形和位置主要由圖形參數(shù)決定,圖譜積分強(qiáng)度主要由結(jié)構(gòu)參數(shù)決定。精修時(shí)可分兩步進(jìn)行,先修正圖形參數(shù),第二步再修正結(jié)構(gòu)參數(shù)。Fullprof提供了一種 Profile Matching模式,先對(duì)圖形參數(shù)進(jìn)行修正。設(shè)置Jbt = 2

4.1 設(shè)置Jbt =2,保存。設(shè)置精修輪數(shù)為20,運(yùn)行如下:

放大區(qū)域,觀察計(jì)算譜與差值線,可以看出計(jì)算峰位偏右,即晶胞參數(shù)過小。開始修正晶胞參數(shù)。

4.2 Cell Para. — Cell Para. + Zreo

經(jīng)過多輪的晶胞參數(shù)零點(diǎn)修正,如下,衍射峰位置對(duì)齊程度明顯改善,chi2數(shù)量級(jí)降低。

4.3 Bac. 1 + 2 + 3

簡(jiǎn)單背底,使用默認(rèn)的多項(xiàng)式函數(shù)描述即可。此后,chi2 = 439。

4.4 FWHM → W

4.5 Eta_0 → W → U → W+U → Bac 1,2,3,4,5,6 (需多次)

此時(shí),

U 0.044478

V -0.000916

W 0.000477


4.6 Bac.

此后,修峰型參數(shù)均變化不大,放大發(fā)現(xiàn),選擇的多項(xiàng)式擬合背底為直線;而在數(shù)據(jù)中2 — 16°背底為凸起寬包。此時(shí),換背底函數(shù)。

兩種方法:一為增加描述背底的多項(xiàng)式次數(shù);二為手動(dòng)修正背底,再進(jìn)行擬合。這里選擇手動(dòng)背底方式,然后對(duì)Bac.擬合,結(jié)果如下:






結(jié)構(gòu)參數(shù)修正


5.1 Scale

在圖形參數(shù)修正基本完成后,開始對(duì)結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行修正。修改Jbt = 0,修Scale因子。

5.2 Atoms Coord. + Overall B

結(jié)構(gòu)參數(shù),主要有原子坐標(biāo),占有率,溫度因子等。依次對(duì)原子坐標(biāo)進(jìn)行修正,從重原子至輕原子。并設(shè)置Al原子和Si原子在對(duì)稱位置。(z坐標(biāo)和為1),pcr部分如下(由于編排原因,對(duì)文件間距進(jìn)行了調(diào)整):

!Atom  Typ   X   Y   Z   Biso   Occ   
In Fin N_t Spc /Codes
Ba1  Ba   0.0000  0.0000  0.0000   0   0.15667
0   0   0    0 
0.00     0.00     0.00     0.00      0.00
Al1  Al    0.3333  0.6667  0.2887  0   0.33333
0   0   0    0  
0.00     0.00   -11.00     0.00     0.00
Si1  Si    0.3333  0.6667  0.7112  0   0.33333
0   0   0    0  
0.00     0.00    11.00     0.00      0.00
01  0     0.3333  0.6667  0.5123  0   0.33333
0   0   0    0  
0.00     0.00    21.00     0.00      0.00
02  O      0.9876  0.4351  0.2075  0   1.00000
0   0   0    0  
31.00    41.00    51.00     0.00    0.00

最終精修品質(zhì)因子為:

Rp: 5.04;Rwp: 6.92;Rexp: 2.07;Chi2: 11.1;S = 3.34.

chi2偏大,個(gè)人認(rèn)為主要原因有二:一為計(jì)數(shù)高的衍射強(qiáng)度(1.6 * 105),計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)不再是主要的誤差[2]**;其二為衍射數(shù)據(jù)存在第二相,在縱坐標(biāo)為SQR表示方法下,可以看出,有很多第二相的衍射峰(綠色框)。

該數(shù)據(jù)還可進(jìn)行第二相處理,達(dá)到更好的效果!(*該原因目前有爭(zhēng)議)

作圖并給出結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)表格:



[1] 維基百科。https://zh.wikipedia.org/wiki/SN_1054
[2] 梁敬魁. 粉末衍射法測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)[M]. 科學(xué)出版社, 2011.


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開展的分析測(cè)試服務(wù)包括:X射線衍射分析、土壤礦物檢測(cè)、水質(zhì)檢測(cè)、場(chǎng)地環(huán)境檢測(cè)、二噁英檢測(cè)、建材VOC檢測(cè)、固廢檢測(cè)、理化參數(shù)等檢測(cè)項(xiàng)目,已取得CMA檢驗(yàn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)資質(zhì)認(rèn)定和ISO/IEC 17025檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可資質(zhì)。

科學(xué)儀器研發(fā)方面:具備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的 X 射線衍射 / 熒光分析儀器的研發(fā)生產(chǎn)能力,在 X 射線分析儀器的開發(fā)領(lǐng)域擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

單位先后通過北京市級(jí)企業(yè)科技研究開發(fā)機(jī)構(gòu)、高新技術(shù)企業(yè)、中關(guān)村高新技術(shù)企業(yè)等認(rèn)證。    

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