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【干貨】XRD分析Jade系列教程之晶粒尺寸計(jì)算教程(六)

發(fā)布時(shí)間:2020-11-06   來(lái)源:北達(dá)燕園微構(gòu)分析測(cè)試中心


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本文提供的教程為中南大學(xué)材料學(xué)院黃繼武老師的PPT講義,我們整理后會(huì)陸續(xù)推送給大家(文章略長(zhǎng),但都是精華),希望對(duì)大家有用。

點(diǎn)擊鏈接回顧下之前的課程吧:

(1,2) jade簡(jiǎn)介及基本操作教程:

https://mp.weixin.qq.com/s/BYrB46CUsuKqyW1pVMOb4g


(3) jade物相檢索操作教程:

https://mp.weixin.qq.com/s/pY6er45NPXSmybpmlM9vBA


(4) 物相定量操作:

https://mp.weixin.qq.com/s/BsAhIUCNySflNAfwJ2pUtQ


(5)晶胞參數(shù)精確計(jì)算:

https://mp.weixin.qq.com/s/VuZkDZtI1dI1WrGTVhcTrg


本教程主要包括一下幾個(gè)部分:

1、jade簡(jiǎn)介

2、jade基本操作教程

3、jade物相檢索操作教程

4、jade物相定量計(jì)算操作教程

5、jade晶胞參數(shù)精確計(jì)算操作教程

6、jade晶粒尺寸計(jì)算操作教程

7、殘余應(yīng)力計(jì)算操作教程

8、全譜擬合精修教程




01


 ??????????????????????????????????????衍射線為什么變寬?


1.1 衍射線還是衍射峰?

●衍射儀使用的是近似平行光

●衍射儀使用的是平板樣品而不是表面彎曲的晶面

●實(shí)際晶體是“嵌鑲塊結(jié)構(gòu)”,晶體由許多嵌鑲塊組成,每個(gè)嵌鑲塊內(nèi)是完整的,嵌鑲塊造成晶體點(diǎn)陣的不連續(xù)性

 

●結(jié)論:

-衍射儀得到的衍射線不是一條衍射線而是一個(gè)具有一定寬度的衍射峰

-取衍射峰一半高度的寬度作為衍射峰的寬度度量,稱為“半高寬”

-衍射峰面積除以高度得到的是積分寬度

-這個(gè)寬度稱為“儀器寬度”一b

 

1.2 晶粒細(xì)化→衍射峰變寬

●選擇反射區(qū)的中心是嚴(yán)格滿足布拉格定律的倒易陣點(diǎn)

●選擇反射區(qū)的大小和形狀是由晶體的尺寸決定的


當(dāng)晶塊(嵌鑲塊、亞晶)尺寸小于100nm時(shí),相當(dāng)于相干散射區(qū)三維尺度上的晶胞數(shù)都很小,所對(duì)應(yīng)的倒易陣點(diǎn)變?yōu)榫哂幸欢w積的倒易體元,其選擇反射區(qū)比普通的要更大


●謝樂(lè)方程:

●公式的推導(dǎo)方法不同,式中k=0.89或0.94,但實(shí)際應(yīng)用中一般取k=1

●β是指因?yàn)榫Я<?xì)化導(dǎo)致的衍射峰加寬部分,單位為弧度

●晶塊尺寸D=md,其中d是垂直(HKL)晶面方向的晶面間距,m是晶塊在這個(gè)方向包含的晶胞數(shù)

●由于不同晶面的d值和m不同,因此不同(HKL)晶面測(cè)量出來(lái)的D值也會(huì)有差別

一個(gè)粉晶顆粒的微結(jié)構(gòu)


1.3 晶格畸變→衍射峰變寬
●金屬材料在加工和熱處理過(guò)程中,有點(diǎn)陣畸變、亞晶粒細(xì)化及層錯(cuò)等微觀變化
●材料的微觀變化可以解釋材料的物理與力學(xué)性能的變化
●材料的微觀變化可以通過(guò)兩種方法來(lái)觀察或測(cè)量
■透射電鏡觀察:直觀,但只能觀察到微區(qū)
■X射線衍射線形分析:制樣簡(jiǎn)單,測(cè)量范圍大,測(cè)量結(jié)果為被測(cè)區(qū)域的統(tǒng)計(jì)平均值
 
晶塊尺寸范圍內(nèi)的微觀應(yīng)力或晶格畸變,能導(dǎo)致晶面間距發(fā)生對(duì)稱性改變d±△d


●晶面間距是倒易矢量的倒數(shù),晶面間距變化△d,必然導(dǎo)致倒易矢量產(chǎn)生相應(yīng)的波動(dòng)范圍,倒易球成為具有一定厚度的面殼層,當(dāng)反射球與倒易球相交時(shí),得到寬化的衍射線


●晶面間距改變d±△d,導(dǎo)致衍射角有相應(yīng)變化


●衍射線的半高寬


●兩邊微分并整理可得:


微觀應(yīng)變和微觀應(yīng)力計(jì)算公式:


●如果用晶面間距的相對(duì)變化來(lái)表達(dá)晶格畸變,則只要從實(shí)驗(yàn)中測(cè)得衍射線的加寬β,就可以計(jì)算出晶格畸變量△d/d和微觀應(yīng)力σ


02


如何計(jì)算加寬?
2.1 B,b,β
●衍射峰的實(shí)際測(cè)量寬度稱為實(shí)測(cè)寬度B
●b是與儀器的實(shí)驗(yàn)條件相關(guān)的特性,稱為儀器寬度
●β相對(duì)于儀器寬度b的增量稱為“加寬”
●B,b,β三者之間不是簡(jiǎn)單的加和效應(yīng),而是一種復(fù)雜的卷積關(guān)系
 
2.2 B,b,β的關(guān)系
●材料實(shí)測(cè)的衍射線寬度(B) 和物理寬度(β)以及儀器寬度(b)之間存在如下的關(guān)系:


■g(x):儀器寬化線形函數(shù)
■f(x):物理寬化線形函數(shù)
●此式稱為瓊斯( F.W.Jones)關(guān)系式

2.3 解卷積的三種方法
-近似函數(shù)法
-傅利葉變換法
-方差法
 
2.4 近似函數(shù)法
●f(x)和g(x)的選擇
—f(x)和g(x)可選用以下三種函數(shù)的任意組合,不同組合計(jì)算得到的B、β和b之間存在不同的關(guān)系
表1可選峰形函數(shù)及B、β和b的關(guān)系



03


計(jì)算晶粒尺寸

●納米材料(晶粒小于100nm)的制備是當(dāng)前的重要研究課題
●一般認(rèn)為納米粉體中不含有其它因素引起的衍射峰加寬
●物理寬度β的計(jì)算公式

●n取1-2之間的數(shù),用柯西函數(shù)時(shí),n=1,用高斯函數(shù)時(shí),n=2。其它函數(shù)及其組合,則1<n<2。

用謝樂(lè)公式計(jì)算晶粒尺寸的實(shí)驗(yàn)步驟
1) 測(cè)量?jī)x器寬度
-測(cè)量一個(gè)粗晶粒(且無(wú)畸變,不會(huì)引起其它線形寬化)樣品的衍射譜,計(jì)算其衍射峰寬度,作為儀器寬度b
-嚴(yán)格地選用與待測(cè)樣品同質(zhì)的粗晶退火樣作為標(biāo)樣,為簡(jiǎn)化實(shí)驗(yàn)程序,一般實(shí)驗(yàn)室選用粗晶硅樣品作為標(biāo)準(zhǔn)樣品來(lái)計(jì)算儀器寬度b
 
●注意:
-不同衍射儀的儀器寬度b是不同的


2)測(cè)量樣品的衍射譜并計(jì)算實(shí)測(cè)寬度和物理寬度

選擇樣品的(220) 面作為測(cè)量面
已知20=31.2°時(shí),儀器寬度b=0.124°
測(cè)得實(shí)測(cè)寬度B=0.364°
β=B-b=0.364°  -0.124° =0.240°
  =0.00419(rad)


3) 計(jì)算晶粒大小
將數(shù)據(jù)代入謝樂(lè)公式:

已知CO3O4的(220)面的面間距d=0.28581nm,則:
m=D/d=133。即晶粒在(220) 面上有133個(gè)單胞大小


04


晶格畸變與晶粒細(xì)化同時(shí)存在


4.1 材料加工的一般情況
●材料在加工過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生晶塊尺度范圍內(nèi)的晶格畸變,同時(shí)也可能由于加工造成晶塊破碎,即晶塊細(xì)化
●因此,在研究材料加工對(duì)衍射線形影響的時(shí)候,必須同時(shí)考慮兩種因素的同時(shí)存在
●當(dāng)兩種衍射線加寬因素都存在時(shí),其作用效果也是卷積關(guān)系
 
4.2 近似函數(shù)f(x)和g(x)的選擇依據(jù)
●實(shí)測(cè)線形與計(jì)算線形作比較.
?利用f(x)和g(x)函數(shù),計(jì)算理論線形,將理論線形與實(shí)測(cè)線形相比較,選擇線形相近的函數(shù)
?應(yīng)用電子計(jì)算機(jī)計(jì)算選擇近似函數(shù),現(xiàn)代X射線衍射儀的軟件系統(tǒng)中都帶有峰分離擬合軟件
 
4.3 亞晶粒細(xì)化寬度(m)與點(diǎn)陣畸變寬度(n)的分離
■計(jì)算公式同儀器寬度與物理寬度的計(jì)算

■M(x):晶粒細(xì)化線形函數(shù)
■N(x):晶格畸變線形函數(shù)
 
4.4 M(x)和N(x)函數(shù)的選擇
選擇不同的M(x)和N(x)組合,得到不同的β、m、n關(guān)系式
表2可選M(x),N(x)函數(shù)及β和m,n的關(guān)系


M(x)和N(x)函數(shù)的選擇依據(jù)
■數(shù)據(jù)擬合:由計(jì)算機(jī)軟件計(jì)算并繪制出M(x)和N(x)的擬合曲線,與實(shí)測(cè)譜線對(duì)比,找出最佳組合
■經(jīng)驗(yàn)使用:鋼材冷加工多選用組合1;高碳鋼淬火一般使用組合2

4.5 晶粒尺寸(D)和晶格畸變(ε) 與線形寬化的關(guān)系


4.6 峰分離步驟
1)測(cè)量出衍射峰,分離出Kα1和Kα2
2)從Kα1峰中量出峰寬B
3)從B中分離出儀器寬度b和加寬β
4)從β中分離出m,n
5)按公式計(jì)算晶粒尺寸D和微應(yīng)變?chǔ)?/span>




05


三種解卷積的近似函數(shù)法

5.1 柯西分布法
霍爾曾假定,晶塊細(xì)化和晶格畸變兩種效應(yīng)所造成的強(qiáng)度分布都接近柯西分布


5.2 高斯分布法


5.3 雷薩克法(解析法)

●為求解m,n必須得到兩個(gè)b
●在同一試驗(yàn)條件下,對(duì)同一試樣測(cè)量高角和低角兩條譜線,為減少分析誤差,兩條譜線之間的角距離越大越好,當(dāng)然也要兼顧譜線衍射強(qiáng)度的可測(cè)性
可得:

解方程組可得到,m1, m2, n1, n2的唯一解考慮分析精度,只須求出m1,n2
晶粒尺寸D和晶格畸變?chǔ)诺挠?jì)算公式:



06


實(shí)驗(yàn)操作步驟(柯西法,高斯法)
1) 作儀器寬度曲線
測(cè)量一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品的衍射譜,就能擬合出一條儀器寬度隨衍射角變化的曲線,從而可以了解任意衍射角的儀器寬度b


2測(cè)量樣品的衍射譜,并作曲線擬合


3觀察擬合報(bào)告,即可看到“晶粒大小”


4-1) 單擊Size-Strain Plot按鈕,測(cè)出平均晶粒大小和微應(yīng)變(高斯函數(shù)n=2)


4-2) 單擊Size-Strain Plot按鈕,測(cè)出平均晶粒大小和微應(yīng)變(柯西函數(shù)n=1)


5) 三種情況的判斷
■當(dāng)β2/β1 =cosθ1/cosθ2時(shí),表明譜線寬化主要是亞晶粒細(xì)化的效應(yīng),點(diǎn)陣畸變的影響很小,此時(shí),圖中的數(shù)據(jù)點(diǎn)分布在一條水平線上
■當(dāng)β2/β1=tanθ2/tanθ1時(shí),表明譜線寬化主要是點(diǎn)陣畸變的效應(yīng),亞晶粒細(xì)化的影響很小。此時(shí),數(shù)據(jù)點(diǎn)在一條斜線上,而且過(guò)原點(diǎn)(截距為0,D=∞)
 
■一般情況為同時(shí)有微觀應(yīng)變和晶粒細(xì)化存在,截距為正值( 如果截距為負(fù)值,數(shù)據(jù)測(cè)量有錯(cuò)誤)


07


幾個(gè)注意事項(xiàng)
關(guān)于解卷積:
●實(shí)驗(yàn)中要減小幾何寬化,以降低b的相對(duì)誤差。為此要求測(cè)角儀狀態(tài)好,盡量提高功率,用小狹縫得到小的幾何寬化b
●用半高寬法著重考慮較大晶粒的貢獻(xiàn),忽略細(xì)小晶粒的貢獻(xiàn);而勞厄積分寬度則大小晶粒的效應(yīng)都考慮了
●近似函數(shù)法只有在保證B/b>3時(shí)才能得到好的結(jié)果
●為了盡量增加B/b值,標(biāo)樣處理是個(gè)關(guān)鍵
●X射線小角度散射強(qiáng)度及分布與試樣中的粒子的形狀,大小緊密相關(guān)。
Jade按下列公式進(jìn)行計(jì)算


●d稱為反卷積參數(shù),可以定義為1-2之間的值
●峰形接近于高斯函數(shù),設(shè)為2
●接近于柯西函數(shù),則取d=1
●d的取值大小影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果大小和誤差
 
關(guān)于晶粒尺寸:
●采用謝樂(lè)公式計(jì)算晶粒大小實(shí)際上是將衍射學(xué)中的“嵌鑲塊”的概念換成了“晶?!保@是假定沒(méi)有亞晶存在的情況下使用的
●謝樂(lè)公式中的系數(shù)k值是一一個(gè)接近于1但不等于1的數(shù),β的計(jì)算精確度也依賴于峰形函數(shù)的選擇。因此,計(jì)算結(jié)果不是一個(gè)絕對(duì)準(zhǔn)確的數(shù)值,而只能作為相對(duì)值的參考。
●不同衍射面的計(jì)算值是不相同的,可以通過(guò)多個(gè)晶面的衍射譜寬度來(lái)計(jì)算晶粒大小,然后再作平均,稱為“平均晶粒大小”
●謝樂(lè)公式只適用于晶粒尺寸小于100nm的晶粒細(xì)化
●亞晶粒尺寸與通常意義上的粉末粒度具有本質(zhì)的區(qū)別
 
關(guān)于謝樂(lè)方程:
謝樂(lè)方程

●計(jì)算晶塊尺寸時(shí),一般采用低角度的衍射線
●如果晶塊尺寸較大,可用較高衍射角的衍射線
●晶粒尺寸在30nm左右時(shí),計(jì)算結(jié)果較為準(zhǔn)確
●此式適用范圍為<100nm
●只存在晶粒細(xì)化的樣品,衍射峰寬化與衍射角的余弦成反比

 

關(guān)于微應(yīng)變:

●宜用高角度衍射線
●只存在微應(yīng)變的樣品衍射峰寬化與衍射角正弦成正比





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科學(xué)儀器研發(fā)方面:具備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的 X 射線衍射 / 熒光分析儀器的研發(fā)生產(chǎn)能力,在 X 射線分析儀器的開(kāi)發(fā)領(lǐng)域擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
單位先后通過(guò)北京市級(jí)企業(yè)科技研究開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)、高新技術(shù)企業(yè)、中關(guān)村高新技術(shù)企業(yè)等認(rèn)證。    

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