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北京:市科委積極推進第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

發(fā)布時間:2018-02-01   來源:北京科技政策宣講團

 

為落實北京市加快技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展新材料產(chǎn)業(yè)指導意見精神,加快推進第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群,1月24日,順義區(qū)組織召開了第三代半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和專項扶持政策論證會。

中國科學院半導體研究所前所長、973項目首席科學家李晉閩教授,北京大學物理學院副院長沈波教授,第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲,中關(guān)村管委會、市科委及市經(jīng)信委、中關(guān)村順義園相關(guān)領(lǐng)導,中國電子科技集團公司第十三研究所等重點企業(yè)負責人參與研討。

與會專家、相關(guān)領(lǐng)導、企業(yè)代表就產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和專項政策的編制完善提出了具體的指導意見。下一步,順義區(qū)將認真歸納匯總本次論證會的指導意見,盡快形成較完善的順義區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和專項扶持政策。

近年來,北京市科委持續(xù)推進第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,已形成碳化硅材料、器件、應用全產(chǎn)業(yè)鏈條,在高品質(zhì)6英寸碳化硅材料制備、SiC MOSFET芯片研制等方面國內(nèi)領(lǐng)先,同時在順義區(qū)建設(shè)了第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新基地,積極承接國家2030重大項目落地北京。


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內(nèi)容來源:北京市科委

內(nèi)容編輯:北京科技政策法規(guī)宣講團