北京：“前沿新材料研究”專項6項課題招標啦！
發(fā)布時間：2018-02-23 來源:北京科技政策宣講團
為提高科技經(jīng)費的使用效率，保證課題研究工作的質(zhì)量，結合項目特點，北京市科學技術委員會決定采取公開招標的方式，擇優(yōu)選取“前沿新材料研究”專項所屬6項課題的課題承擔單位。
本次招標活動的招標人是北京市科學技術委員會，北京科技園項目評價有限公司是本次招標代理機構。本次招標工作將參照《中華人民共和國招標投標法》、《中華人民共和國招投標法實施條例》及相關規(guī)定進行。
一、課題名稱與招標編號
課題1：2英寸單晶半導體金剛石研制（招標編號：SX2018-01）
課題2：2英寸氮化鋁單晶襯底研制（招標編號：SX2018-02）
課題3：2英寸氮化硼薄膜材料研制（招標編號：SX2018-03）
課題4：3英寸氧化鎵單晶襯底及外延工藝研究（招標編號：SX2018-04）
課題5：基于碳化硅功率器件的軌道交通變流器研制（招標編號：SX2018-05）
課題6：柔性體內(nèi)植入生物傳感器研制（招標編號：SX2018-06）
二、課題目標
課題1：開展大尺寸半導體金剛石單晶生長機制研究，掌握大尺寸半導體金剛石單晶制備技術，研制出2英寸半導體金剛石單晶。
課題2：開展2英寸AlN單晶材料生長機制研究，突破2英寸AlN單晶襯底制備關鍵技術，研制出2英寸AlN單晶襯底。
課題3：掌握高質(zhì)量氮化硼薄膜材料生長技術，實現(xiàn)2英寸氮化硼薄膜材料的制備，研制出氮化硼深紫外探測器。
課題4：掌握高質(zhì)量Ga2O3單晶制備工藝和缺陷調(diào)控技術，實現(xiàn)3英寸高品質(zhì)Ga2O3單晶襯底材料及3英寸同質(zhì)外延材料制備。
課題5：完成基于SiC（碳化硅）功率器件的軌道交通變流器的系統(tǒng)開發(fā)和樣機研制,并通過第三方型式試驗認證。
課題6：制備面向醫(yī)療的兩種可植入體內(nèi)的柔性生物傳感器，一種用于測量大腦皮層腦電信號，一種用于測量外周神經(jīng)信號。
三、投標人資格
6項課題投標人資格要求均為：
1、在北京地區(qū)注冊的具有獨立法人資格的企業(yè)（不包括外方出資額超過50％的外商投資企業(yè)）、事業(yè)單位或其它組織；
2、資信良好，在最近3年內(nèi)無不良記錄或嚴重違法違紀行為；
3、在北京市科委的信用評級為C以下（含C）的不具備投標人資格；
4、招標人接受聯(lián)合體投標。
四、研究進度要求
完成本課題的時間為中標人與招標人簽訂《北京市科技計劃項目（課題）任務書》之日起兩年內(nèi)。
五、課題經(jīng)費
招標人資助資金來源于北京市地方財政撥款，按現(xiàn)行財政撥款相關規(guī)定支付；招標人不限定課題1、2、3、4、6的自籌資金比例；經(jīng)費的支付辦法以雙方簽訂的《北京市科技計劃項目（課題）任務書》為準。
具體要求如下：
課題1招標人資助資金上限是500萬元；
課題2招標人資助資金上限是500萬元；
課題3招標人資助資金上限是500萬元；
課題4招標人資助資金上限是500萬元；
課題5招標人資助資金上限是900萬元，投標人自籌資金不少于1100萬元；
課題6招標人資助資金上限是500萬元。
六、招標文件獲取
有意投標者,請按下述時間、地點購買招標文件（請自備U盤），招標文件售出后概不退還。
2018年2月9日起至2018年3月9日止（公休日及節(jié)假日除外），每日9時30分至16時30分。
招標文件出售地點：北京市海淀區(qū)增光路甲34號云建大廈1105室（北京科技園項目評價有限公司）
七、招標文件售價
招標文件售價每課題人民幣100元。
八、投標
接受投標文件的時間及地點：
2018年3月13日8時30分至11時0分，投標文件送至開標地點。
接受投標文件的截止時間：
2018年3月13日11時0分。恕不接受未按時送達的投標文件。
九、開標
開標時間：2018年3月13日11時0分。
開標地點：金泰海博大酒店六層會議室（北京市海淀區(qū)西四環(huán)北路136號）。
十、聯(lián)系方式
北京科技園項目評價有限公司
聯(lián)系人：王娜，王衛(wèi)艷
電話：（010）68461639，68308582
傳真：68365326
地址：北京市海淀區(qū)增光路甲34號云建大廈1105室
郵編： 100048
監(jiān)督電話： 66153445（紀檢組）
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